日前，蘇大維格團隊帶著公司自主研發(fā)的激光圖形化直寫設備MiScan200前往歐洲交付調試，團隊憑借專業(yè)的技術能力及嚴謹的工作態(tài)度深受客戶好評。
據了解，蘇大維格本次向歐洲提供的MiScan激光圖形化直寫設備（8吋）省去了繁瑣的掩膜加工步驟，提供快速，高效和低成本光刻直寫制程的解決方案，尤其對于有光刻Mask外協需求的用戶來說，可以自制相應的Mask降低成本或提升研發(fā)速度需求；本產品采用大功率半導體激光光源，長壽命、低功耗；用戶操作界面友好靈活，支持多種版圖設計格式；可根據自身的加工需求，方便靈活的選用不同的投影倍率和不同調制方式實現多種模式圖形制備。通用型MiScan產品（單次曝光0.5um分辨率光刻，支持多次曝光），支持多重對準套刻（0.35um－0.5um）套刻精度和翹曲襯底（0－100微米）圖形光刻，尤其適合MEMS器件、功率器件和射頻器件等厚膠套刻。
此外，面向光電子、柔性電子和新材料領域，蘇大維格提供從4＂－70＂的紫外微納3D光刻直寫解決方案和高端裝備，包括支持灰度光刻（微納3D形貌）、微納混合光刻（特征結構90nm或更小）和大面積微納圖形直寫（高速光刻）。
據了解，蘇大維格本次向歐洲提供的MiScan激光圖形化直寫設備（8吋）省去了繁瑣的掩膜加工步驟，提供快速，高效和低成本光刻直寫制程的解決方案，尤其對于有光刻Mask外協需求的用戶來說，可以自制相應的Mask降低成本或提升研發(fā)速度需求；本產品采用大功率半導體激光光源，長壽命、低功耗；用戶操作界面友好靈活，支持多種版圖設計格式；可根據自身的加工需求，方便靈活的選用不同的投影倍率和不同調制方式實現多種模式圖形制備。通用型MiScan產品（單次曝光0.5um分辨率光刻，支持多次曝光），支持多重對準套刻（0.35um－0.5um）套刻精度和翹曲襯底（0－100微米）圖形光刻，尤其適合MEMS器件、功率器件和射頻器件等厚膠套刻。
此外，面向光電子、柔性電子和新材料領域，蘇大維格提供從4＂－70＂的紫外微納3D光刻直寫解決方案和高端裝備，包括支持灰度光刻（微納3D形貌）、微納混合光刻（特征結構90nm或更小）和大面積微納圖形直寫（高速光刻）。
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