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觸摸屏通常由透明導電氧化物（TCO）薄膜組成，這些薄膜被劃線來形成絕緣電極和互聯(lián)，這通常使用化學濕法光刻蝕。激光刻蝕技術(shù)利用激光直接在透明基板上對薄膜進行刻蝕，通過計算機控制激光光束的移動，激光對薄膜材料進行選擇性氣化，形成所需要的圖形。本項目研究的設(shè)備和工藝可以在一個工作周期內(nèi)同時完成整個模組的ITO和銀漿的刻蝕加工，因此減少了加工工序，大大提高加工產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。

核心技術(shù)：

本項目設(shè)備集數(shù)控技術(shù)、激光技術(shù)、軟件技術(shù)等光機電技術(shù)為一體，對傳統(tǒng)的化學工藝進行了徹底革新，具有高靈活性、高精度、高速度等先進制造技術(shù)的特征。

創(chuàng)新點：

1、通過CCD實現(xiàn)了64X64網(wǎng)格高精度的多點、全自動校正。目前市面上多為3X3或5X5精度的網(wǎng)格，且非自動校正。

2、可完成復雜圖形的精細刻線。設(shè)備采用固體激光器，激光波長1064nm、532nm、355nm等，適合對導電薄膜與鍍層進行精細刻線。

3、加工工序少，提高工作效率。該設(shè)備可以在一個工作周期內(nèi)同時完成整個模組的ITO和銀漿的刻蝕加工，減少了加工工序，大大提高加工產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。

4、適應(yīng)性強，不會隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展被淘汰。隨著電子行業(yè)的發(fā)展，、傳統(tǒng)的化學刻蝕工藝將不適用于對石墨烯薄膜的刻蝕加工，然而激光刻蝕工藝卻是可以輕松完成這項工作的。

技術(shù)指標：

1、激光器：固體激光器；

2、激光波長：1064nm、355nm、532nm；

3、激光功率： 10W/20W；

4、刻蝕線寬：＜40μm；

5、刻蝕速度：1200mm/s；

6、加工范圍：550mm×550mm；

7、校正方式：64X64網(wǎng)格全自動校正。