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非對稱包層就是將n層和p層的折射率設置的不一樣，將光場分布偏移到n層，損耗較小，下圖的稀釋波導也起到非對稱包層的作用，可以看到光場分布有一定的變化，稀釋波導采用InP和InGaAs交替生長，一是散熱效果比較好，二是可以優化折射率降低限制因子減小損耗。

還有一些其他的大功率的半導體激光器，一是采用大光腔結構，波導寬度很寬，二是FP的一些激光器，三是采用外腔的激光器，用一些分立的透鏡光柵之類的。

目前的單管半導體激光器的大功率提升主要還是研究如何提升飽和電流，一是增加散熱，二是如何減小半導體激光器的電阻，還有端面災變損傷等。如果要設計，目前考慮到的有，摻雜濃度、非對稱包層、稀釋波導、寬脊波導、電極設計電阻、端面鍍膜。當然有的電阻小了，斜率效率就會下降，還需要具體優化分析，如果要做可以用lastip軟件仿真分析。