星之球激光 來源：21ic2011-11-29
我要評論(0 )
Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFETDMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產品設計要求，如智能手機及平板計算機等。 這款新MO...
Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產品設計要求，如智能手機及平板計算機等。
這款新MOSFET采用超精密及高熱效率的DFN1616封裝，并具有極低的導通電阻 (RDS(on)) 特性，能將傳導損耗降至最低水平，從而延長電池壽命。例如在VGS為4.5V的條件下，該MOSFET的導通電阻僅為29mΩ，這比其最接近的競爭對手產品的導通電阻性能還要優越15%，有利于電源中斷及一般負載開關的應用。
DFN1616的標準離板剖面為0.5毫米，比其對手的產品薄20%，并只占2.56平方毫米的印刷電路板面積 (PCB)，比競爭對手同類型2毫米乘2毫米的較大封裝節省55%的空間。
同時，DMP1245UFCL為用戶提供防靜電放電 (ESD) 的增強保護。該MOSFET的額定閘極保護為3kV，比同類產品高出50%，因此對人為產生的靜電放電所造成的影響有很強的抵御作用。
轉載請注明出處。
① 凡本網未注明其他出處的作品，版權均屬于激光制造網，未經本網授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用。獲本網授權使用作品的，應在授權范圍內使
用，并注明"來源:激光制造網”。違反上述聲明者，本網將追究其相關責任。
② 凡本網注明其他來源的作品及圖片，均轉載自其它媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不代表本媒贊同其觀點和對其真實性負責，版權歸原作者所有，如有侵權請聯系我們刪除。
③ 任何單位或個人認為本網內容可能涉嫌侵犯其合法權益，請及時向本網提出書面權利通知，并提供身份證明、權屬證明、具體鏈接(URL)及詳細侵權情況證明。本網在收到上述法律文件后，將會依法盡快移除相關涉嫌侵權的內容。
相關文章網友點評
熱門資訊
精彩導讀
關注我們
