近期Te化物材料由于其獨特的物理化學性質被廣泛的研究，并應用在拓撲絕緣體、熱電材料、量子器件及光電傳感器等研究領域。In2Te3作為一種重要Te化物也已受到大量科學工作者的關注，In2Te3二維薄膜材料已經在存儲器件、熱電器件及氣體傳感器件方面得到了初步的結果。然而，關于In2Te3納米線的研究尚處空白。
國家納米科學中心何軍課題組在最新研究中，通過CVD方法首次合成了高質量的單晶In2Te3納米線，并基于這種新型納米線發展了一種從350nm到1090nm即紫外-可見-近紅外寬帶光譜光探測器。該探測器具有快速響應、線性輸入-輸出和寬譜響應等特征。In2Te3納米線優良的光電特性使之有望成為下一代全譜高性能光探測器及光傳感器。
此外，研究人員通過溶劑熱法合成了一維In2Te3納米結構，并且首次系統地研究了溶劑比例、反應時間及不同表面活性劑等各種反應條件對納米結構成核生長機制及最終生長形貌的影響。與CVD合成的納米線結構不同，該結構所具有粗糙的表面使之有可能在氣體傳感、能量存儲方面得到廣泛的應用。
相關的研究工作發表在Nano Letters及Journal of Materials Chemistry上。
In2Te3納米線的SEM、TEM圖像及其光響應特性
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