激光制造商情 來源：上海硅酸鹽研究所2013-09-16
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近日，由中國科學院上海硅酸鹽所中試基地氧化碲組葛增偉、朱勇等人發(fā)明的一種高純二氧化碲單晶及其制備方法（High-purity Tellurium Dioxide Single Crystal and the Ma...
近日，由中國科學院上海硅酸鹽所中試基地氧化碲組葛增偉、朱勇等人發(fā)明的“一種高純二氧化碲單晶及其制備方法”（High-purity Tellurium Dioxide Single Crystal and the Manufacturing Method Thereof)正式獲得美國專利商標局授予的專利授權（美國專利號：US 8480996 B2）。
該專利采用二次晶體生長制備方法獲得高純度二氧化碲單晶，尤其是U、Th等放射性雜質含量可降低至10-13g/g，因而使得上海硅酸鹽所成為大型中微子探測項目（CUORE項目）所需核心探測材料的全球唯一供應商。目前，上海硅酸鹽所中試基地氧化碲組已向CUORE項目提供1000多塊高純二氧化碲單晶，實現創(chuàng)匯500多萬美元。高純二氧化碲單晶作為一種大尺寸優(yōu)質二氧化碲單晶新產品，先后于2010年和2011年獲得上海市和國家重點新產品計劃資助，取得了良好的社會效益和經濟效益。
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