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燈泵浦激光打標機與半導體激光打標機之間區別
燈泵浦激光打標機與半導體激光打標機之間區別： 燈泵浦激光器與半導體泵浦激光器比較：半導體及燈泵浦激光器都是采用ND:YAG（摻釹釔鋁石榴石）晶體作為激光產生的材料，它可將808nm的可...
2011-10-16 -
半導體激光器的常用參數
半導體激光器的常用參數可分為：波長、閾值電流Ith 、工作電流Iop 、垂直發散角、水平發散角∥、監控電流Im 。 （1）波長：即激光管工作波長，目前可作光電開關用的激光管波長有635nm、6...
2011-10-16 -
幾種半導體可調諧激光器原理及特點
比較常見的可調諧半導體激光器從實現技術上有：電流控制技術、溫度控制技術和機械控制技術等類型。其中電控技術是通過改變注入電流實現波長的調諧，具有ns級調諧速度，較寬的調諧帶寬...
2011-10-15 -
英國科學家提出產生綠光激光器新途徑
《OPTICS LETTERS》最近發表了英國格拉摩根大學Kang Li，Aiyun Yao等人的文章，報道了基于半導體激光器模塊和MgO：PPLN晶體的綠光激光器。 綠光激光器在激光顯示、光存儲、生物光子學等領域均有著...
2011-10-12 -
目前最高功率的新型半導體激光材料加工系統
相干公司發布新型Highlight D系列半導體激光系統，該系統不僅能輸出用于材料加工處理的高功率半導體激光，同時能提供智能激光光斑尺寸。尤其是Highlight8000D， 輸出功率可達8KW，是目前世界上...
2011-10-11 -
幾種半導體可調諧激光器原理及特點
比較常見的可調諧半導體激光器從實現技術上有：電流控制技術、溫度控制技術和機械控制技術等類型。其中電控技術是通過改變注入電流實現波長的調諧，具有ns級調諧速度，較寬的調諧帶寬...
2011-10-08 -
半導體激光器面面觀（四）
GaAs上VCSEL 基于GaAs基材料系統的VCSEL由于高的Q值而備受研究者青睞，目前VCSEL最多也是生長在GaAs襯底上。但以GaAsSbQW作為有源區的CW長波長VCSEL發射波長被限制在1.23m。發射波長1.3m的GaAsSb-GaAs系統...
2011-09-28 -
半導體激光器面面觀（三）
(1)808nmInGaAsP無鋁大功率激光器 美國相干公司的半導體研究所研制了一種無鋁激光器，其準連續波功率為50W，工作溫度高達75℃。在峰值功率為55W時測量，經109次400s脈沖后其功率衰減＜9%。峰值...
2011-09-28
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