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半導體/PCB

英特爾稱已掌握10納米芯片制造工藝

激光制造網 來源:新浪科技2012-09-15 我要評論(0 )   

新浪科技訊 9月14日,英特爾研究人員表示,他們已經破解了10納米芯片制造技術難題,為生產能耗更低的先進芯片奠定了基礎。 英特爾Ivy Bridge和Haswell兩種芯片都將采用2...

       新浪科技訊 9月14日,英特爾研究人員表示,他們已經破解了10納米芯片制造技術難題,為生產能耗更低的先進芯片奠定了基礎。

  英特爾Ivy Bridge和Haswell兩種芯片都將采用22納米制造工藝生產,在此之后,英特爾將轉向14納米制造工藝,并預計將在2013年晚些時候或2014年初開始用這種技術制造芯片。周三,在英特爾開發者論壇上,該公司高管透露他們還掌握了制造10納米芯片的技術。

  英特爾技術制造部門工藝架構與整合主管馬克·波爾(Mark Bohr)說:“14納米芯片技術現已處于全面的開發模式,正在為明年底啟動全面生產做準備。眼下,我將自己的個人時間都用在了10納米技術上面,看上去我們已經找到了解決辦法。”

  


 

       波爾稱,10納米芯片技術可能依賴于一系列實驗性技術,可能涉及光子學、材料合成、最新三柵級晶體管、極紫外光微影(EUV)等方面的技術。在有關如何生產10納米芯片的問題上,英特爾可能會采用沉浸式光刻(immersion lithography)技術,盡管它更希望使用EUV技術。

  波爾暗示,使用EUV技術生產10納米芯片存在諸多困難:“我希望采用EUV技術生產10納米芯片,但我認為它屆時還不成熟。”此外,EUV技術的制造成本也高于沉浸式光刻技術。英特爾研究團隊還在積極探索生產7納米和5納米芯片的技術,但這一目標距離現在過于遙遠,因為10納米芯片技術要到2015年才能達到生產標準。

  波爾最后表示,與AMD、ARM等競爭對手不同的是,英特爾旗下擁有和運營著芯片生產工廠。他說:“工藝流程開發的確需要巨額投資,但也會帶來巨大的經濟優勢。”

 

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