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        2-3微米波段半導體激光器在光譜分析、氣體檢測、醫學檢查等方面具有重要的應用。InP襯底上不含銻量子阱激光器與GaSb基含銻量子阱激光器相比具有工藝成熟穩定、熱導率高、襯底價格低、質量好、易獲得等優點。

　　中科院上海微系統與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室化合物半導體方向的研究人員通過在InP襯底上采用氣態源分子束外延方法生長高質量的異變緩沖層，并在其上構筑不含銻的InAs多量子阱結構，成功研制出激射波長達2.7微米的激光器，這是目前國際上InP基不含銻量子阱激光器所能實現的最長激射波長。該工作已在Applied Physics Letters上發表，并引起國際上的廣泛關注，半導體領域知名雜志Semiconductor Today也對此作了專題報道。