中國科學院半導體研究所半導體材料科學重點實驗室、低維半導體材料與器件北京市重點實驗室，在科技部、國家自然科學基金委及中科院等項目的支持下，經(jīng)過努力探索，制備成功太赫茲量子級聯(lián)激光器系列產(chǎn)品。
太赫茲（THz）量子級聯(lián)激光器是一種通過在半導體異質(zhì)結構材料的導帶中形成電子的受激光學躍遷而產(chǎn)生相干極化THz輻射的新型太赫茲光源。半導體材料科學重點實驗室經(jīng)過多年的基礎研究和技術開發(fā)，目前推出系列太赫茲量子級聯(lián)激光器產(chǎn)品。頻率覆蓋2.9~3.3 THz，工作溫度10~90 K，功率5~120mW。
太赫茲波介于中紅外和微波之間，是一種安全的具有非離化特征的電磁波。它能夠穿透大多數(shù)非導電材料同時又是許多分子光學吸收的特征指紋光譜范圍。它的光子能量低（1 THz對應的能量大約4meV），穿透生物組織時不會產(chǎn)生有害的光電離和破壞，在應用到對生物組織的活體檢驗時，比X光更具優(yōu)勢。它的波長比微波短，能夠被用于更高分辨率成像。THz波在分子指紋探測、診斷成像、安全反恐、寬帶通訊、天文研究等方面具有重大的科學價值和廣闊的應用前景。
半導體研究所制備成功太赫茲量子級聯(lián)激光器系列產(chǎn)品
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