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據晶元光電測試數據表明，一般si MOSFET轉換的效率在87%，而更換 GaN 功率元器件可實現95%。但GaN材料一直被用在LED藍光襯底材料，卻忽視了其最原始半導體材料的應用。

而據美國能源局數據顯示，全球能源除了天然氣、煤炭和核能以外占居11.1%的風電、太陽能等能源，在使用si功率器件實現能源轉換時，損失率高達10%，可見GaN材料的應用不應僅限于此。

晶元光電研發中心副總經理謝民勛先生表示，4H-SiC第一代被商業化的晶體管通過大尺寸，高成本來維持大電流的流通，而如金GaN高壓晶體管可以實現高壓、大電流，響應速度快以及更低成本。

從傳統的燈泡到今天的LED，照明經歷著傳統照明、直流驅動LED照明到AC LED照明。AC LED或將是LED照明的最終最理想的方式，而目前市場最為關注的就是高壓LED。

作為高壓LED最重要的就是驅動元件，而GaN功率器件的出現解決了這個問題。據謝明勛先生表示，GaN功率器件是集電感電容的體積小、耐溫為一體的產品，實現LED照明產品電路簡單化。

晶元光電作為領先者，更是采用協同開發模式推出基于GaN高壓晶體管的DOB技術，將電源驅動器直接封裝在印刷電路板上，縮小光源尺寸，大幅降低傳統燈具廠進入LED照明的門檻。以藍光材料驅動藍光LED，讓LED應用無限可能的理想照進現實。