近日，半導體所發布多批政府采購意向，儀器信息網特對其中的儀器設備品目進行梳理，統計出57項儀器設備采購意向，預算總額達1.6億元，涉及半導體薄膜沉積、刻蝕等多個工藝制程。 中國科學院半導體研究所（簡稱半導體所）是集半導體物理、材料、器件研究及其系統集成應用于一體的國家級半導體科學技術的綜合性研究機構。
半導體所作為我國半導體科學技術發展的引領者，擁有眾多國家級、院級實驗。兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個國家重點實驗室—半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表面物理國家重點實驗室(半導體所區)；一個重點實驗室—光電子材料與器件重點實驗室；兩個院級實驗室(中心)—中國科學院半導體材料科學重點實驗室和中國科學院固態光電信息技術重點實驗室。
此外，還設有半導體物理實驗室、固態光電信息技術實驗室、半導體集成技術工程研究中心、光電子研究發展中心、寬禁帶半導體研發中心、人工智能與高速電路實驗室、納米光電子實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室和元器件檢測中心。 半導體所擁有先進的科研設備和實力強大的科研團隊，致力于推動半導體科學技術的創新與發展。在量子點異質外延、高性能激光器研發等領域取得顯著成果，并培養了大量高層次科研人才。同時，與國內外眾多科研機構、大學和企業建立了廣泛的合作關系，共同推動半導體科學技術的發展。
近日，半導體所發布多批政府采購意向，儀器信息網特對其進行梳理，統計出57項儀器設備采購意向，預算總額達1.6億元，預計采購時間為2024年5月-12月。 本次采購的儀器設備涉及磁控濺射生長設備、傅里葉變換光譜儀、低溫探針臺、無掩模直寫型光刻機、感應耦合等離子體刻蝕機、先進低頻噪聲測試分析系統、低損傷復雜形貌刻蝕系統、原子力顯微鏡、綜合光電掃描測試系統等。涵蓋的半導體工藝制程較為全面，有薄膜沉積、光刻、刻蝕、化學機械拋光、封裝和后道測試等，這些工藝步驟對于確保半導體芯片的性能和可靠性至關重要。從設備的采購需求來看，半導體制程正朝著更高性能、更低功耗、更小尺寸的方向發展。如無掩模直寫型光刻機，相較于有掩膜光刻機具有靈活性高、制作周期短、成本低等優點；低損傷復雜形貌刻蝕系統需滿足特殊結構DFB、DBR光柵的制備，特別是具有高深寬比的圖形結構。本次設備的采購是不僅是對半導體所現有設備的重要補充，也將進一步推動半導體行業的發展。
來源：儀器信息網
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