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       激光技術水平主要表現在于激光器技術水平及基于此的應用。固體激光器根據其能量大、峰值功率高、結構緊湊、牢固耐用等優點，廣泛應用于工業、國防、醫療、科研等方面。但是傳統的固體激光器通常采用高功率氣體放電燈泵浦，其泵浦效率約為3%到6%。泵浦燈發射出的大量能量轉化為熱能，不僅造成固體激光器需采用笨重的冷卻系統，而且大量熱能會造成工作物質不可消除的熱透鏡效應，使光束質量變差。

       加之泵浦燈的壽命約為300小時，操作人員需花很多時間頻繁的換燈，中斷系統工作，使自動化生產線的效率大大降低，但如果采用二極管泵浦的固體激光器，則可以很好的避免這一點。要適應新環境下的應用，固體激光器就必須向著全固化、超短脈沖、短波長的方向發展，目前也取得了一定的成績，上海光機所強光光學開放研究實驗室成功建立了5.4太瓦(1012w)/46飛秒級小型化超強超短激光裝置，重復頻率每秒10次，穩定可靠，工作臺面占地不到10平米，光束質量優良，具備提供1018～1019w/cm2量級的超高超快強場能力。日本一技術開發機構經過實驗確認短波長的紫外線可制造線寬為0.07微米的半導體元件，實用化后可將存儲元件的信息存儲容量提高60倍。

       現在的半導體元件加工技術多采用波長為250納米的紫外線激光在線路板上曝光，能夠蝕刻線寬為0.25至0.15微米的半導體元件。由日本政府和企業聯合組成的超尖端電子技術開發機構通過實驗確認，使用波長為13納米的紫外線可加工線寬為0.07微米的精細半導體電路。